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最新!又一省出台深紫外LED相关政策!涉及衬底及芯片制备技术!

发布时(shi)间(jian):2021/10/26 10:50:30   点击:33

最新!又一省出台深紫外LED相关政策!涉及衬底及芯片制备技术!

原创 行家说UV UVLED风(feng)向

    日前,安徽省经(jing)济和信息化厅为加(jia)快突破(po)制约制造(zao)业(ye)发展(zhan)的关(guan)键、共性技(ji)术(shu)瓶颈,促进制造(zao)业(ye)高质量发展(zhan),出台了《制造(zao)业(ye)重点领域产(chan)学研用(yong)补(bu)短(duan)板产(chan)品(pin)和关(guan)键共性技(ji)术(shu)攻关(guan)指(zhi)导目录(2021)》。“UV LED风向”发现,其中关(guan)于深紫(zi)外LED则是专用图形化(hua)(hua)衬底(di)及芯片(pian)制备技术的研究及产业化(hua)(hua)。

    据(ju)了解,深(shen)紫(zi)外LED专用(yong)图(tu)形化衬底及(ji)(ji)芯片制备技术(shu)的研究(jiu)及(ji)(ji)产业化具(ju)体规(gui)划主(zhu)要研究(jiu)种适用(yong)于AlN和高铝组分(fen)AlGaN 紫外LED芯(xin)片(pian)外延生(sheng)长(zhang)的纳米图(tu)形化蓝宝石(shi)衬底,解决UVC半导体(ti)外延(yan)工艺(yi)、提升杀菌效率、改善散热三个问题。

    其主要技术目标是如实(shi)现图(tu)形(xing)尺寸均匀分布的(de)纳米级图(tu)形(xing)化衬底制备,其具(ju)体图(tu)形(xing)尺寸:上(下)孔径为700-1000100-300nm,深(shen)度为300-650nm,周期1-1.4μm的微结构,均匀(yun)性小于3-5% 二(er)是采用(yong)纳米级图形化衬底,实现AlGaN量(liang)子阱的(de)发光波长(zhang)在280 nm以下(发光波长260280nm),内量子(zi)效率大(da)于(yu)50%。另(ling)外在制备紫外LED芯片(pian)结构方面,实现电致发光波长(zhang)280 nm以下,芯片外量子效率大于(yu)3%,输出(chu)光功率达10mW以(yi)上。

    深紫外LED因为能够灭杀新冠病毒及本身的优势,越来(lai)越受政府关注。此前,福建厦门市科学(xue)技术局发(fa)布(bu)《2021年厦(sha)门市重大科技(ji)项目(工业(ye)及信息化领域)申(shen)报指南》其中在集成电路和第三代半导体方向当中,关于新型发光、显示器件及芯片研发及产业化中有一项明确提出关注“深紫外发光材料及器件”。

    又如山西省(sheng)同样扶持UV LED发展(点击详情),在《山西省“十四五”新(xin)装(zhuang)备(bei)规(gui)划(hua)》中,将在智能检(jian)测设备(bei)领域重点突破紫外LED芯片、深紫外LED芯片、MiniLED等核心关键技术,重点研发全(quan)波(bo)段UV LED系列产品、LED外(wai)延产品、紫外(wai)应用(yong)产品。同时,将加(jia)大蓝宝石生(sheng)长设备及MOCVD设(she)备的研发投入。

    如今,安徽这一政策涉(she)及紫外,给行业再次带来利好信息,对推(tui)动UV LED发展有重(zhong)大意(yi)义!


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